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[温度] ansys热电求助

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发表于 2010-7-13 16:03:35 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 陕西西安
1)ANSYS模型的建立考虑到计算工作量,模拟中选用SED器件的一个电子发射单元,建立相应的几何结构模型,如图4-29所示。图4-29中,红色部分为玻璃衬底,两个方块为器件金属电极,Al-AlN颗粒膜搭接在金属电极中间。
file:///C:/DOCUME~1/pp/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.jpg

图4-29 SED器件电子发射单元的ANSYS几何模型

模拟所用SED器件电子发射单元的几何结构尺寸如表4-2所示。
表4-2 模型的几何结构尺寸(单位:微米)

 




玻璃基底

500

300

10

电极

100

200

0.1

颗粒膜

100

20

0.1

2)材料参数设定ANSYS通过有限元方法进行数值计算,选用软件提供的SOLID98结构单元,该单元能够综合分析热-电和热-应力耦合场问题,具有温度、结构位移等自由度。根据建立的模型,主要有三种材料:基底玻璃、电极和Al-AlN颗粒膜。
其中,玻璃衬底和金属电极的特性参数固定,直接加载在模型的材料特性参数上;改变Al-AlN颗粒膜的几何结构、电阻率(不同工艺导致的)以及器件电压来模拟电形成过程焦耳热的分布状况。三种材料的物理性能参数如表4-3所示。Al-AlN颗粒膜的热导率,可以根据质量份数的原则,综合金属铝和氮化铝给出,电阻率根据实际测试颗粒膜得到。  
4-3 玻璃基底、颗粒膜和电极特性参数

材料

电阻率/mΩ.cm

热导率(W/m.K)

玻璃

1.00E+15

0.7-1.3

金属电极

1.68E-06

400

颗粒膜

2-200

200

3)边界条件边界条件主要是指所施加的器件电压大小及位置,以及器件单元周围环境。模拟所用器件电压从1V变化到20V,器件电压施加在左边电极的左端面上,右边电极的右端面上设置为0V,这与实际情况相符合。考虑到整个器件置于高真空环境下,模拟中忽略了空气对流造成的热损失,而真空室用不锈钢制造,放置在室温下,因此设定玻璃衬底的下表面温度为300K。另外,由于实验中电极的尺寸远远大于颗粒膜的尺寸,并且具有良好的热导率,因此设定右边电极的右端面和左边电极的左端面温度为300K
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